[13a-A401-1~11] 17.2 グラフェン

[13a-A401-8] グラフェンバイオセンサにおけるゲートリーク電流低減検討

〇坂野 喜代治¹、小野 尭生^1,2、金井 康¹、小山 知弘¹、谷奥 正巳¹、山本 佳織¹、宮川 成人³、牛場 翔太³、木村 雅彦³、井上 恒一¹、千葉 大地¹、松本 和彦¹ (1.阪大産研、2.JST さきがけ、3.村田製作所)

キーワード：グラフェン、バイオセンサ、GFET

グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)を用いたバイオセンサの測定誤差の原因の一つにゲートリーク電流があり、この抑制にためにGFET基板上にインクジェット描画による絶縁樹脂の塗布を行った。この結果、絶縁樹脂の重ね塗りによる膜厚増とともにリーク電流が抑制される傾向があり、絶縁樹脂の塗布前後で、リーク電流は数十分の一まで低減されることが確認できた。