[13p-D221-1~14] 6.4 薄膜新材料

△ [13p-D221-14] 低温PLD合成Ni_1-xFe_xO(111)エピタキシャル薄膜の電気特性評価

〇篠崎 佳晴¹、中西 昴¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：磁気抵抗効果、NiO

Ni_1−xFe_xOエピタキシャル薄膜に関して、Fe高濃度領域を含む組成条件においてドーパントが構造と磁気抵抗特性に与える影響を検討した。薄膜はPLD法によりNi_1−xFe_xO(x≦0.7)をターゲットとしてα-Al₂O₃ (0001)基板に成膜し、AFM、XRD、RHEEDにより評価し、PPMSを用いてMRを測定した。Ni_0.5Fe_0.5Oターゲットを用いて成膜した薄膜は300 Kにおいて9 Tの垂直磁場中で負の磁性抵抗効果を示した。当日はFe添加量による影響についても発表する。