[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-4] ミストCVD法によるγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜成長

〇堀江 竜斗¹、田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、ミストCVD