16:00 〜 18:00
[13p-PA8-7] 熱処理を施したダイヤモンドウエハの結合状態分析 (3)
キーワード:ダイヤモンドウエハ、X線光電子分光
近年,通信基地局や衛星通信システムなどの高周波電力増幅器では,高効率かつ高出力な高電子移動度トランジスタ(HEMT)が使用されている.しかし,その出力電力密度は基板材料の熱伝導率に大きく制限される.単結晶ダイヤモンドは物質中最高の熱伝導率を有しているため,基板としてダイヤモンドを用いり,その上にGaAs,GaN等を結晶成長することができれば,高周波出力電力動作が期待できる.しかし,現在ダイヤモンドウエハ上で分子線エピタキシー(MBE)成長をさせるための明確な洗浄方法は報告されていない.
本研究では,単結晶ダイヤモンドウエハ上にGaAsのMBE成長を行う上で,基板の前処理方法の検討を行うことを目的とした.
本研究では,単結晶ダイヤモンドウエハ上にGaAsのMBE成長を行う上で,基板の前処理方法の検討を行うことを目的とした.