[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-2] 4インチ成長用オートクレーブを用いた低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長

〇栗本 浩平^1,2、包 全喜^1,2、斎藤 真^1,3、三川 豊³、茅野 林造²、嶋 紘平¹、小島 一信¹、石黒 徹¹、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.日本製鋼所、3.三菱ケミカル)

キーワード：GaN、アモノサーマル法、バルク結晶

大口径バルクGaN結晶の量産化手法の一つとして酸性アモノサーマル法が期待されている。我々は4インチ径ウエハの製造が可能な内径120 mmのGaN結晶成長用オートクレーブを導入して結晶成長実験を行い、4インチサイズの種結晶を用いた成長に成功したことを報告してきた。本講演では、当該オートクレーブを用いた結晶成長の最新の成果について報告する。