[15a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-A202-3] 近接蒸着法によるCaSi₂とCaGe₂の成膜

〇原 康祐¹、瀧澤 周平¹、山中 淳二²、黒澤 昌志^3,4、有元 圭介¹ (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析、3.名大院工、4.名大高等研究院)

キーワード：真空蒸着、層状物質

CaSi₂、CaGe₂は、結晶構造中にそれぞれSi、Geの層状構造を有しており、層状物質シリセン、ゲルマネンの前駆体として注目されている。本研究では、近接蒸着による新たな成膜法について調査を行った。その結果、それぞれSi(111)、Ge(111)基板上に、(0001)配向したCaSi₂、CaGe₂薄膜の作製に成功した。