[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-PA5-4] Al添加ZnO薄膜のPLD成長における成長分圧依存および熱処理効果

〇(M1)熊谷 敏宏¹、大浦 紀頼¹、和田 英男¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大 ナノ材研)

キーワード：AZO、PLD、フレキシブル

近年，透明でかつフレキシブルなデバイスへの応用が求められており，ZnOなどの様々な酸化物材料を用いた研究が進展している．AZOはAlの添加量に応じて抵抗率が大きく変化することでTFTにおけるチャネル材料として応用可能である．今回，我々はAZOを用い，薄膜成長時の酸素分圧を変えて作製した膜および熱処理効果を行った膜の評価，そしてフレキシブル基板に展開してTFTを作製して特性を調べたので，それらの結果について報告する．