16:45 〜 17:00 △ [12p-S301-11] 高濃度ボロンドープダイヤモンドMOSFETsの大電流密度達成に向けた接触抵抗の低減 〇高橋 輝1、久樂 顕1、浅井 風雅1、荒井 雅一1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)