[10p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-N101-16] Agナノ粒子の表面プラズモン共鳴を用いたGaNの発光増強機構

〇(M1)垣内 晴也¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、プラズモニクス、銀ナノ粒子

我々はAgナノ粒子の表面プラズモン共鳴を用いる際に、GaN上にSiO₂ (5 nm)を形成することで、Agナノ粒子の劣化とそれによる消光を防ぎ、ダークモードである四重極子振動モードでもバンド端発光を増強させることに成功した。発光増強機構を解明するために、有限差分時間領域法(FDTD)によってパーセル効果を見積もり、実験で得られた発光増強を再現することを試みた。GaNとAgナノ粒子の間の酸化膜の影響についても検討した。