[11a-N301-1~11] 6.6 プローブ顕微鏡

[11a-N301-4] 周波数変調型静電引力顕微鏡における静電容量の定量測定に向けた金属-半導体間の静電引力と周波数シフト量の関係の定式化

〇(DC)福澤 亮太¹、高橋 琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：静電気力顕微鏡、定量測定、C-V測定

周波数変調型静電引力顕微鏡では、周波数シフトから探針-試料間の静電引力を評価しているが、空乏層容量を含むような半導体においての周波数シフトと静電引力の一般的な定式化はなされていなかった。我々は、静電容量の定量的測定にむけて、静電引力と周波数シフトの関係式を導いた。さらに、n型Si基盤上で測定した周波数シフトを容量換算することで、定量的にC-V特性を取得することに成功した。