[11a-N306-1~11] 17.2 グラフェン

[11a-N306-6] SiC上グラフェンへの電流注入による赤外線放射の観測

〇片岡 大治¹、杉山 良輝¹、村上 成汐¹、福永 郁也¹、大野 泰秀¹、永瀬 雅夫¹ (1.徳島大学)

キーワード：グラフェン、赤外線放射

近年、赤外からテラヘルツ領域で発光するグラフェンエミッタが注目されている。本研究ではSiC上グラフェンエミッタの赤外線放射の角度依存性に関して検討を行った。その結果、試料端面からの赤外線放射密度が試料表面の放射密度よりも大きいことが分かった。また、端面において、グラフェンからの赤外線放射が確認できた。以上から、グラフェンはキャリア走行方向に対して同一方向に赤外線を大きく放射することが分かった。