[12a-N203-1~10] 6.4 薄膜新材料

[12a-N203-7] CaF₂上におけるBi₂Te₃超薄膜の成長と電子物性

〇八田 振一郎¹、檜垣 慎平¹、奥山 弘¹、有賀 哲也¹ (1.京大院理)

キーワード：超薄膜、層状物質、エピタキシャル成長

層状化合物であるBi₂Te₃の超薄膜を、CaF₂(111)/Si(111)基板上にMBE成長させた。Bi₂Te₃はエピタキシャル成長し、低速電子回折からシングルドメインであることが確認された。5QL（~5nm）以下の薄膜のバンド構造および電気伝導度を角度分解光電子分光と4端子法を用いて調べ、この超薄膜の電子物性の膜厚依存性について報告する。