[12a-S301-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[12a-S301-11] 2次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定

〇鈴木 哲太^1,2、山崎 雄一²、谷口 尚³、渡邊 賢司³、松下 雄一郎⁴、針井 一哉²、圓谷 志郎²、増山 雄太²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大、2.量研、3.NIMS、4.東工大)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、ホウ素空孔欠陥、光検出磁気共鳴

２次元物質中のスピン欠陥による量子センシング実証のため、六方晶窒化ホウ素(h-BN)中ホウ素空孔欠陥(V_B)の形成とその光学特性の測定を行った。40keV-N₂イオン照射(照射量：1×10¹⁴~10¹⁷cm^-2)により、薄膜化したh-BN中にV_Bを形成した。532nm励起レーザーを用いたフォトルミネッセンス(PL)測定より波長700~900nmにV_Bに起因する発光ピークを確認した。また、光検出磁気共鳴(ODMR)測定により3.46GHzを中心とする２本のODMR信号とその外部磁場による分裂を観測した。