[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-N101-10] インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立

〇(M2)津田 翔太¹、宮川 拓己¹、富田 敦之¹、平山 秀樹^2,3、高島 祐介^1,2、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED研、3.理研)

キーワード：MOVPE、AlN、結晶成長

これまでAlN結晶成長は薄膜状態での表面モホロジー、膜厚増加による転位衝突確率など低温buffer層を用いた場合でも多くの課題が残されていた。本研究ではサファイア基板上超高温AlN成長においてbuffer層の最適温度の導出を行った。結果としてAlN初期成長においてはサファイアの表面窒化の分岐点となる700℃を超えるためインバージョンドメインの形成とサファイアからの酸素の拡散の影響が明らかになった。