[16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [16a-Z13-7] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面に生じる界面ダイポール効果の電荷導入原子層数による大きな変化

〇田村 敦史¹、Seungwoo Jang²、Young-Geun Park²、Hanjin Lim²、喜多 浩之¹ (1.東大院工、2.Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics)

キーワード：ダイポール効果、絶縁膜、DRAM

ペロブスカイト酸化物のエピ界面では電荷を持つ原子層挿入によりダイポール効果が発現する。SrTiO₃基板上にSrRuO₃、STOを堆積しその間に挿入するLaAlO₃膜厚を変化させXPSによるcut-off energy測定を行った。挿入量が1 u.c.のとき(LaO)⁺層の過剰により正電荷が導入されSRO中に誘起される負電荷とのダイポールが生成し、3 u.c.では逆向きの効果が発生したと思われる結果が得られ、ダイポール効果は導入電荷量によりその向きと強さが変調可能であることがわかった。