2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月19日(金) 09:00 〜 11:30 Z27 (Z27)

石井 良太(京大)、新田 州吾(名大)

10:45 〜 11:00

[19a-Z27-7] AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性

秩父 重英1、嶋 紘平1、小島 一信1、Moody Baxter2、三田 清二2、Collazo Ramon3、Sitar Zlatko3、熊谷 義直4、上殿 明良5 (1.東北大多元研、2.Adroit Materials、3.NC State University、4.東京農工大院工、5.筑波大数物)

キーワード:半導体、AlN、CLスペクトル

AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板のCLスペクトルを、陽電子消滅法により得られた点欠陥の情報とつきあわせて説明する。