[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-Z27-12] GaN MOVPE成長におけるC取込機構解明に向けたTMGaとTEGaの分解反応の違いの解析

〇叶 正¹、新田 州吾¹、渡邉 浩崇¹、本田 善央^1,2、Markus Pristovsek¹、天野 浩^1,3,4,5 (1.名大　IMaSS、2.名大　IAR、3.名大　ARC、4.名大　VBL、5.NIMS)

キーワード：気相反応、炭素

パワーデバイスなどで使用される成長温度1000℃付近においてTMGaとTEGaでの異なる原料でのC混入濃度の比較した報告はない。本研究では、まず成長温度1000℃付近において異なる原料でGaNを成長させてC混入濃度の比較を行った。さらに、飛行時間型質量分析（TOF-MS）を用いて気相中の精密な質量分析を行うことC濃度と原料の分解反応について調査を行った。