[23p-D316-1~17] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[23p-D316-9] Sb₂Te₃の結晶制御によるスピンポンピング効果

〇諸田 美砂子¹、齊藤 雄太¹、内田 紀行¹ (1.産総研)

キーワード：相変化材料、カルコゲナイド、トポロジカル絶縁体

相変化メモリに用いられているカルコゲナイド材料はスピン軌道相互作用が強く、可逆的な相変化を利用したスピン特性制御の可能性が期待できる。そこで、本研究では代表的なカルコゲナイド系相変化材料であるSb₂Te₃に着目し、Sb₂Te₃と強磁性体CoFeBの二層構造の積層膜におけるスピンポンピング効果を、Sb₂Te₃の結晶状態を変えて調べた。その結果から、Sb₂Te₃の結晶性とスピン生成効率の関係について議論する。