[17p-B410-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [17p-B410-4] Tb添加Al_xGa_1-xN発光ダイオードにおける発光特性と電気的特性のAl原料供給量依存性

〇山崎 舜介¹、市川 修平^1,2、岩谷 孟学¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：希土類、窒化ガリウム、発光ダイオード

Tbイオンは、4f殻内遷移に起因する発光を示し、狭い発光線幅と極めて安定な発光波長を実現できる。これまでに我々は、有機金属気相エピタキシャル (OMVPE) 法によりAlGaN:Tb層を活性層に用いたLEDを作製し、室温においてTbイオンからの発光を観測している。本研究では、異なるAl組成を有するLED試料を作製し、Al組成がLEDの電気的・光学的特性に及ぼす影響を評価した。