[D08] レーザー駆動陽子線発生実験において発生する中性子の計測
短パルス高強度レーザー光をアルミニウムなどの金属薄膜(マイクロメートル程度)に集光強度1021W/cm2で集光して約40MeVの陽子線を発生させた。この陽子線は、薄膜表面の水分子などの水素に起因する。この陽子線発生時、中性子の計測を行った。その結果、陽子線発生部周辺の物質と陽子との相互作用に起因する中性子と、レーザー駆動陽子線発生時に発生するγ線と周辺物質との相互作用による中性子が存在することがわかった。