[J05-07] 荷電粒子反応測定

[J07] 150MeV陽子照射による銅のはじき出し断面積測定の検討

^〇岩元洋介¹, 吉田誠², 中本建志², 義家敏正³, 石禎浩³, 上杉智教³, 栗山靖敏³, 森義治³, 荻津透² (1.日本JAEA, 2.KEK, 3.京大実験所)

キーワード：はじき出し断面積, 極低温欠陥生成実験, 150 MeV 陽子

粒子・重イオン輸送計算コードPHITSのはじき出し損傷量(DPA)の計算手法を検証するために、はじき出し断面積のデータが必要であるが、高エネルギー領域に対して殆ど測定されていないのが現状である。本発表では、極低温における電気抵抗測定法を用いた150MeV陽子照射に対する銅のはじき出し断面積測定の検討について報告する。