2016年秋の大会

講演情報

一般セッション

II. 放射線工学と加速器・ビーム科学 » 203-3 ビーム利用・ターゲット

[2N10-16] 材料・デバイス分析

2016年9月8日(木) 14:45 〜 16:40 N会場 (くるめりあ六ツ門 会議室)

座長:堀 順一(京大)

15:30 〜 15:45

[2N13] イオンビーム照射グラッシーカーボンに担持した白金ナノ微粒子触媒

密度汎関数計算による電子構造解析

*垣谷 健太1、木全 哲也1、八巻 徹也2、山本 春也2、毛 偉1、寺井 隆幸1、小林 知洋3 (1.東京大学、2.量研機構、3.理研)

キーワード:密度汎関数理論、イオンビーム、白金ナノ微粒子、グラッシーカーボン、酸素還元触媒

イオン照射したグラッシーカーボン基板上に作製したPtナノ微粒子は、未照射基板上の場合に比べて高活性を有する。これは照射による特異な界面構造が白金ナノ微粒子の電子構造に影響を及ぼしていることを示唆している。本研究では、高活性化のメカニズム解明を目的として密度汎関数法に基づくシミュレーション計算により界面の電子構造を分析した。