2016年春の年会

講演情報

一般セッション

IV. 核燃料サイクルと材料 » 402-1. 炉材料とその照射挙動

[1H01-08] Pb-Bi/SiC-1

2016年3月26日(土) 10:00 〜 12:00 H会場 (講義棟B棟 B204)

座長:野澤 貴史(JAEA)

10:30 〜 10:45

[1H03] 安全性を追求した革新的炉心材料利用技術の研究開発

(3)炉心用SiC材料の雰囲気制御電子線照射試験

*橋本 直幸1、礒部 繁人1、鹿野 文寿2、小此木 一成2 (1.北海道大学、2.株式会社 東芝)

キーワード:炭化ケイ素、電子線照射

炉心材料としてSiC利用技術を開発することを目的とし、雰囲気制御型電子線照射実験システムを構築してガス環境におけるSiC材料の腐食のその場観察を実施した。これにより、照射下におけるSiC材料の腐食機構を原子レベルで検討した。