2016年春の年会

講演情報

一般セッション

IV. 核燃料サイクルと材料 » 402-1. 炉材料とその照射挙動

[1H09-13] SiC-2

2016年3月26日(土) 14:45 〜 16:05 H会場 (講義棟B棟 B204)

座長:長谷川 晃(東北大)

14:45 〜 15:00

[1H09] NITE法によるSiC/SiC燃料被覆管等の製造基盤技術に関する研究開発(SCARLET計画)の現状

*岸本 弘立1、中里 直史1、朴 峻秀1、香山 晃1 (1.室蘭工業大学OASIS)

キーワード:SiC/SiC被覆管、中性子照射、NITE法

室蘭工業大学では文部科学省の原子力システム研究開発事業として平成24年度より「高度の安全性を有する炉心用シリコンカーバイト燃料被覆管等の製造基盤技術に関する研究開発」、通称SCARLET計画(SiC Fuel Cladding/Assembly Research Launching Extra-Safe Technology)を進行中である。本計画は現行の軽水炉への高度な安全性付与の方法として、ジルカロイ燃料被覆管をSiC/SiC製燃料被覆管へと転換する事を目的とし、NITE法によるSiC/SiC製の燃料被覆管製造要素技術の開発、アッセンブリ技術開発、物性の評価と評価法の開発、中性子照射下挙動および冷却材共存性評価を実施するものである。これまでNITE-SiC/SiC被覆管の製造技術開発を進め、NITE- SiC/SiC被覆管で製作した照射セグメントの炉内環境での中性子照射試験を、平成26年12月よりノルウェーのハルデン炉(HBWR)において世界に先駆けて開始した。現在は同照射実験が終了した段階であり、本発表ではSCARLET計画の現状に関して報告する。