[2M06-09] イオンビーム・イオン源

[2M07] タンデム加速器のための高フラックスフラーレン負イオン源の開発

＊馬場 栄介¹、中村 晃士朗¹、長谷川 純¹、千葉 敦也²、薄井 絢²、川崎 克則³ (1.東京工業大学　総合理工学研究科　創造エネルギー専攻、2.日本原子力研究開発機構　高崎量子応用研究所、3.静電加速器研究所)

キーワード：フラーレン、クラスター、タンデム加速器、昇華、電子付着

フラーレンイオンをタンデム加速器で加速する際，ストリッパーガスによるフラーレンの破砕に伴うビーム電流値の減少は避けられない．本研究の目的は，タンデム加速器下流で得られるフラーレンビーム電流値の増大を目指し，マイクロアンペア級のフラーレン負イオンを供給可能な高フラックスフラーレン負イオン源の試験装置を開発し，イオン源の設計パラメータがビーム特性に及ぼす影響を明らかにすることである．フラーレン負イオン源として，昇華・電子付着方式を採用し，るつぼ温度とノズル形状に対するフラーレン中性ビームのフラックス量や発散角の依存性を調べた．また，電子付着部にソレノイドガイド磁場を適用し，電子密度の増大によるイオン化効率の改善を試みた．生成されたフラーレン負イオンを静電アナライザにより分析し，るつぼ温度や電子のエネルギーが負イオン質量分布に与える影響について検討を行った．