[2Q01-04] 線量計測2

[2Q04] 蛍光飛跡検出器 (FNTD) の斜め入射した粒子飛跡の読み取りにおけるγ線影響

*橋詰 拓弥^1,2、岡崎 徹¹、佐波 俊哉^2,3、萩原 雅之^2,3、林 裕晃⁴、文珠四郎 秀昭^2,3、小林 育夫¹ (1. 長瀬ランダウア(株)、2. 総合研究大学院大学、3. 高エネルギー加速器研究機構、4. 徳島大学)

キーワード：蛍光飛跡検出器、荷電粒子、入射角度

蛍光飛跡検出器FNTDでは、中性子照射に応じてコンバータからFNTDへ入射した荷電粒子の飛跡を蛍光反応で画像化し、飛跡を計数することができる。しかし中性子－γ線混在場では、γ線由来の二次電子による画像への影響が飛跡読み取りを難しくする。またFNTD画像上の飛跡は、入射角度が小さいほど蛍光量が低下することが分かっており、γ線影響を受けやすいと推測される。本研究ではFNTD画像において、斜め入射した荷電粒子飛跡のγ線影響を定量的に測定した。