[3O06-09] Hydrogen Isotope Behavior in Plasma Facing Material

[3O07] Effect of C-He simultaneous implantation on deuterium retention in damaged W

*Keisuke Azuma¹, Akihiro Togari¹, Qilai Zhou², Yuji Hatano³, Naoaki Yoshida⁴, Sosuke Kondo⁵, Tatuya Hinoki⁵, Takumi Chikada¹, Yasuhisa Oya¹ (1. Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka Univ., 2. Faculty of Science, Shizuoka Univ., 3. Hydrogen Isotope Research Center, University of Toyama, 4. Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu Univ., 5. Institute of Advanced Energy, Kyoto Univ.)

Keywords:Tungsten, Carbon implantation, Helium implantation, Deuterium retention behavior

核融合炉プラズマ対向壁であるタングステン(W)には、炉運転時に中性子や、ヘリウム(He)、水素同位体、不純物炭素(C)などの高エネルギーの粒子が照射され、水素同位体の安定な捕捉サイトとなる照射欠陥が形成される。また、過去の研究によりC照射によるW-C混合層の形成によって重水素(D)の拡散を抑制することが明らかとなっている。しかし、実環境下ではHeの同時照射も予想され、Heバブルの形成もDの拡散抑制効果があることが知られている。そのため、欠陥導入W中の水素同位体滞留挙動に及ぼすCとHeの単独および同時照射影響を比較することはW中の水素同位体ダイナミクスを理解する上で重要である。本研究では、鉄イオン(Fe²⁺)照射により欠陥を導入したWにCとHeの単独照射および同時照射を行った後、D₂⁺照射を行い、昇温脱離法(TDS)によってW中におけるD滞留挙動への影響を検討した。また、HIDTシミュレーションにより欠陥の捕捉エネルギーや深さ分布の検討も行う。