[3O06-09] プラズマ対向壁水素同位体挙動

[3O07] 欠陥導入タングステン中の水素同位体滞留量に及ぼす炭素・ヘリウム照射影響

*東 奎介¹、戸苅 陽大¹、周 啓来²、波多野 雄治³、吉田 直亮⁴、近藤 創介⁵、檜木 達也⁵、近田 拓未¹、大矢 恭久¹ (1. 静岡大学大学院総合科学技術研究科、2. 静岡大学理学部、3. 富山大学水素研、4. 九州大学応力研、5. 京都大学エネ研)

キーワード：タングステン、炭素照射、ヘリウム照射、重水素滞留挙動

核融合炉プラズマ対向壁であるタングステン(W)には、炉運転時に中性子や、ヘリウム(He)、水素同位体、不純物炭素(C)などの高エネルギーの粒子が照射され、水素同位体の安定な捕捉サイトとなる照射欠陥が形成される。また、過去の研究によりC照射によるW-C混合層の形成によって重水素(D)の拡散を抑制することが明らかとなっている。しかし、実環境下ではHeの同時照射も予想され、Heバブルの形成もDの拡散抑制効果があることが知られている。そのため、欠陥導入W中の水素同位体滞留挙動に及ぼすCとHeの単独および同時照射影響を比較することはW中の水素同位体ダイナミクスを理解する上で重要である。本研究では、鉄イオン(Fe²⁺)照射により欠陥を導入したWにCとHeの単独照射および同時照射を行った後、D₂⁺照射を行い、昇温脱離法(TDS)によってW中におけるD滞留挙動への影響を検討した。また、HIDTシミュレーションにより欠陥の捕捉エネルギーや深さ分布の検討も行う。