[2D06-09] Gamma-ray measurement, single-event effects

[2D09] Simulation of low-energy muon-induced single event upsets on a semiconductor memory

*Seiya Manabe¹, Yukinobu Watanabe¹, Shin-ichiro Abe² (1. Kyushu Univ., 2. JAEA)

Keywords:Soft error, Single Event Upset, PHITS, muon

数MeV正・負ミューオン照射加速試験のため、単純有感領域モデル及び粒子輸送計算コードPHITSを用いて、設計ルール65 nmのBulkデバイスにおけるミューオン誘起シングルイベントアップセット(SEU)の発生予測シミュレーションを行い、SEUを観察するための適切な照射エネルギーを決定した。また、SEUシミュレーションにおけるエネルギーストラグリングの影響を調査し、エネルギーストラグリングを考慮することにより考慮しない場合と比べ、ミューオンによるSEU数が増加することを確認した。