[3F14-16] 炉心設計3

[3F14] ペブルベッド型高温ガス炉における高品質・大口径Si半導体製造のための中性子照射場の最適化

*石丸 卓¹、高木 直行¹ (1. 東京都市大学)

キーワード：高温ガス炉、核変換、シリコンドーピング

本研究の目的はペブルベッド型高温ガス炉を用いて高品質・大口径のSi半導体製造をするための中性子照射場の最適化であり、中性子輸送モンテカルロコードMVP-2.0を用いて、中性子照射によってSiインゴット内に生成されるリンの均一度を高めることができるSi装荷方法などを検討した。