[1M07-12] Quantum Beam Application

[1M11] Study on irradiation of resist materials by soft x-ray free-electron laser

*Kazumasa Okamoto¹, Syunpei Kawai², Shigeo Hori², Yuta Ikari¹, Akihiro Konda¹, Takahiro Kozawa¹, Masaharu Nishikino³, Masahiko Ishino³, Thanh-Hung Dinh³, Hiroo Kinoshita⁴ (1. Osaka Univ., 2. Hokkaido Univ., 3. QST, 4. Univ. of Hyogo)

Keywords:X-ray free-electron laser, resist materials, EUV-lithography

次世代の半導体量産用リソグラフィ光源である極端紫外線(EUV)の高出力化のため、加速器ベースの自由電子レーザー（FEL）の開発が検討されている。しかしながら、高フラックス光源の照射がレジスト材料の感度や耐性に与える影響はほとんど明らかになっていない。そのため、SACLAの軟Ｘ線FELを用いてレジスト材料の感度と耐性に与える影響について調べた。