[2L19-23] Hydrogen Isotopes in Materials

[2L20] The influence of defect produced by energetic hydrogen ion or electron irradiation on deuterium retention in tungsten

*Takuro Wada¹, Moeko Nakata¹, Shota Yamazaki¹, Ayaka Koike¹, Mingzhong Zhao¹, Fei Sun², Yuji Hatano³, Yasuhisa Oya² (1. Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 2. Faculty of Science, Shizuoka University, 3. Hydrogen Isotope Research Center, University of Toyama)

Keywords:Tungsten, Hydrogen ion implantation, Heavy ion implantation, Electron implantation, Deuterium retention behavior

核融合炉運転時、プラズマ対向壁材料であるタングステン(W)には中性子や荷電粒子が照射され、水素同位体の安定な捕捉サイトである照射欠陥がバルク中に導入される。これらの照射欠陥はその飛程の違いから、表面及びバルク中に亘って不均一な分布を持つことが考えられる。本研究では、鉄イオン照射によって表面近傍に欠陥を導入したW試料に対して、水素イオン照射及び電子線照射を行い、バルク中にも照射欠陥を導入した。これらのイオン照射を異なるエネルギーを組み合わせることで、欠陥深さの違いによる影響を検討した。この試料に対して重水素イオン照射を行い、昇温脱離法(TDS)及びグロー放電発光分光分析(GD-OES)によって重水素滞留挙動を評価した。またHIDTシミュレーションにより欠陥の捕捉エネルギーやDの深さ分布の検討も行った。結果、表面及びバルク中の照射欠陥深さの差異によって、D滞留挙動が変化することが示唆された。