[1O01-07] タングステン（水素同位体挙動）

[1O03] 重水素プラズマ照射した中性子-鉄イオン複合照射タングステンにおける滞留挙動への欠陥分布影響

*山崎 翔太¹、戸苅 陽大²、仲田 萌子²、趙 明忠²、孫 飛¹、桒原 竜弥³、波多野 雄治⁴、外山 健⁵、大矢 恭久² (1. 静大理、2. 静大院、3. 名大院工、4. 富山大水素研、5. 東北大金研)

キーワード：プラズマ照射、中性子照射、昇温脱離法、タングステン、重イオン照射

核融合炉のプラズマ対向壁材であるタングステン(W)には炉運転時に中性子が照射され、水素同位体の捕捉サイトである照射欠陥がバルク中に均一に導入される。また水素同位体や荷電交換中性粒子などによる欠陥は表面に集中し、欠陥分布が水素同位体滞留挙動に影響を及ぼす。本研究では、14 MeV中性子によりバルク中に一様に欠陥を導入したWに対して鉄イオンを照射し表面近傍に欠陥導入を行った。この試料に対し陽電子消滅法を行い欠陥種を評価した。また、重水素(D)プラズマまたはイオン照射により重水素滞留量及び深さ分布を求めた。その結果、中性子-鉄イオン複合照射では鉄イオン単独照射に比べ重水素滞留量の減少が示された。これにより中性子-鉄イオン複合照射によって生じる試料全体および表面近傍の欠陥におけるD滞留挙動はそれぞれの単独照射と比較して欠陥の増加に伴うD滞留量の増加とは異なる影響を及ぼしていることが明らかとなった。