[2K01-05] Microscopic Analysis

[2K03] Mesoscale atomistic simulation using temperature parallel simulated annealing with active volume

*Sho Hayakawa¹, Taira Okita², Mitsuhiro Itakura³ (1. School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 2. RACE, The Univ. of Tokyo, 3. JAEA)

Keywords:Simulated Annealing, Irradiation-induced defects, Mesoscale simulation

材料中照射誘起欠陥のメゾ時間スケールシミュレーションを行うため，Active volumeを用いた温度並列Simulated annealing手法を開発した．本研究では，欠陥のよりエネルギーの低い安定状態を求めることができる温度並列Simulated annealingと，欠陥の拡散プロセスを精確かつ効率的に探索できるActive volumeによる活性化過程探索を組み合わせることにより，メゾ時間スケールで発生する欠陥発達プロセスをシミュレーションすることに成功した．