[1M01-05] セラミックス

[1M03] 高速炉の安全性向上のための高次構造制御セラミック制御材の開発

(1)B₄C基セラミック制御材の中性子及びヘリウム照射実験

*牧 涼介¹、Fajar Muhammad¹、Jelena Maletaskic¹、Anna Gubarevich¹、片渕 竜也¹、矢野 豊彦¹、吉田 克己¹、鈴木 達²、打越 哲郎² (1. 東工大、2. 物材機構)

キーワード：高速炉制御材、炭化ホウ素、カーボンナノチューブ、中性子照射、高速ヘリウムイオンビーム照射

高速炉で用いられている炭化ホウ素（B₄C）セラミック制御材は、中性子吸収反応に伴うヘリウムの生成や、不均一な温度分布による熱応力割れなどが問題となっている。我々はカーボンナノチューブ（CNT）を添加することで熱的及び機械的特性に優れたB₄C基セラミック制御材を作製したので、中性子照射効果およびその回復挙動を評価した。さらに、貫通型気孔を導入した高次構造制御B4C基セラミック制御材にヘリウムイオンを照射することで中性子吸収反応に伴うB₄C中のヘリウム生成を模擬し、加熱によるヘリウムガス放出挙動評価を実施した。