[3D05-08] 中性子工学・小型中性子施設

[3D06] 実測された中性子エネルギー依存ソフトエラー断面積を用いた18 MeV陽子サイクロトロン施設中性子場におけるソフトエラー発生率評価

*木内 笠¹、佐藤 博隆¹、加美山 隆¹、岩下 秀徳²、広島 芳春²、奥川 雄一郎²、古坂 道弘¹、鬼柳 善明³ (1. 北大、2. NTT宇宙環境エネルギー研究所、3. 名大)

キーワード：高速中性子エネルギースペクトル、中性子ソフトエラー、エネルギー依存ソフトエラー断面積、陽子サイクロトロン中性子源、粒子輸送シミュレーション計算

高速中性子に起因する半導体メモリの中性子ソフトエラーが問題になっている。それを解決するに当たり、様々な中性子環境における中性子ソフトエラー発生率を推定することは不可欠な第一歩である。中性子環境の一つとして、18 MeV陽子サイクロトロン施設中性子場におけるソフトエラー発生率の測定を行った。さらに、我々のグループにより既に測定済の幾つかのFPGAに対する0.65 MeVから800 MeVまでの中性子エネルギー範囲におけるソフトエラー断面積と、粒子輸送シミュレーション計算で求めた中性子照射場の中性子エネルギースペクトルを用いて、ソフトエラー発生率の実測値をどの程度再現できるかについて検討した。