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[2L03] 中性子照射タングステンを用いた水素同位体混合プラズマ照射におけるプラズマ駆動透過
キーワード:タングステン、水素同位体、プラズマ駆動透過、中性子照射
プラズマ駆動透過(PDP)実験装置を用いて中性子照射タングステン材料におけるH,D混合プラズマ駆動透過挙動について検討した。また、PDP実験後の水素同位体滞留量についても評価した。その結果、中性子照射により0.3 dpa (displacement per atom)まで照射損傷を導入したW試料では800 K以下の温度でH,Dともに透過量増加した。一方、透過量におけるH,D比は非照射材では850 K以下ではHの透過量が大きく増加したが、中性子照射材では温度を変化させても大きく変化しなかった。この結果から照射損傷の導入による非照射材とはH,D透過挙動が変化することが示唆された。