[2H16-20] 計測回路・解析技術

[2H17] 耐放射線性水素終端ダイヤモンドMOSFET による計測用電子回路の開発(1)

差動増幅ユニットアンプの検証

*伊藤 洋輔¹、川島 宏幸¹、前川 立行²、金子 純一^1,3、梅沢 仁¹ (1. 大熊ダイヤモンドデバイス、2. 技術士事務所 TMRAMS Consulting、3. 北海道大学)

キーワード：原子力プラント、耐放射線性、計装回路、差動増幅回路、電荷有感型前置増幅

原子力プラントの更なる安全性確保のために耐放射線性・耐高温性に優れた電子デバイスが求められている。我々はこのニーズに応えるべく耐放射線性に優れたダイヤモンドFETを使った電子回路の開発を進めている。この成果は、福島第一原子力発電所の過酷な放射線環境下での廃炉作業(燃料デブリ取出し)において必要不可欠な計測用の電子回路として大いに期待されている。加えて、次世代原子炉の過酷事故計装への適用も期待される。今回、ダイヤモンドFETの素子評価、トランジスタアレイとしてのIC化並びにダイヤモンドFETを使った差動増幅回路ユニットアンプの検証結果について報告する。