Si-H-Cl系でのエピタキシャル成長法によるシリコン薄膜成長のシミュレーション計算

講演情報

アカデミック・プログラム（AP）

理論化学・情報化学・計算化学

2018年3月20日(火) 13:20 〜 18:30 E2 (10号館 1012)

1E2-27～1E2-31 横川大輔
1E2-33～1E2-38 鷹野優
1E2-40～1E2-44 立川仁典
1E2-47～1E2-51 奥村光隆
1E2-53～1E2-57 原渕祐

午後

13:30 〜 13:40

○豊嶋龍樹・国吉ニルソン・山口勉功・不破章雄 (早大創造理工)

PC接続時間：13:10～13:20

キーワード：化学蒸着法、エピタキシャル成長、トリクロロシラン、ジクロロシラン