物理化学―物性

[1PB-024] HfSi2/Si(110)超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態とその膜厚依存

03.ポスター

○小山 大輔・山﨑 真寛・垣内 拓大・長岡 伸一・間瀬 一彦 (愛媛大理・高エネ研・総研大)

キーワード：固体表面・界面、X線光電子分光法、オージェ電子-光電子コインシデンス分光法、高誘電率材料、半導体