コロイド・界面化学

[2E4-20] シリカ前駆体垂直成長構造体への金ナノ粒子の位置選択的吸着と表面構造制御

01.口頭A講演

○毛利 一貴・枝 真住・納城 美沙・中田 湧也・奈須野 恵理・加藤 紀弘・飯村 兼一 (宇都宮大院工)

PC接続時間：11:10～11:20

キーワード：Langmuir-Blodgett法、金ナノ粒子、位置選択的吸着、無電解めっき