Rind基を基盤とした非常にかさ高い単座アリールオキシド配位子の合成と錯形成能

講演情報

アカデミック・プログラム（AP）［ポスター］

錯体化学・有機金属化学

2019年3月16日(土) 10:00 〜 11:30 P (講堂兼体育館 (1F) アリーナ)

発表時間：奇数番号10:00-10:45 / 偶数番号 10:45-11:30

[1PA-059] Rind基を基盤とした非常にかさ高い単座アリールオキシド配位子の合成と錯形成能

○渡内稔季・伊塚幸司・管野公平・ROSAS-SANCHEZ Alfredo・橋爪大輔・松尾司 (近畿大院総理工)

キーワード：アリールオキシド配位子、縮環型立体保護基、鉄、リチウム

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン