量子化学計算によるSi(100)面におけるエピタキシャル成長メカニズムの解析

講演情報

アカデミック・プログラム（AP）

理論化学・情報化学・計算化学

2019年3月17日(日) 13:10 〜 17:20 D6 (3号館 (3F) 336)

2D6-26～2D6-31 春田直毅
2D6-33～2D6-36 杉本学
2D6-39～2D6-42 杉崎研司
2D6-45～2D6-49 奥村光隆

午後

16:20 〜 16:30

[2D6-45] 量子化学計算によるSi(100)面におけるエピタキシャル成長メカニズムの解析

○萩野翔・国吉ニルソン・不破章雄・山口勉功 (早大院創造理工)

PC接続時間：16:10～16:20

キーワード：表面反応、化学気相成長法、シミュレーション

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン