Schedule 4 5:00 PM - 5:15 PM [1Q21] 窒化物半導体電極上に形成したNiO保護層によるエッチング抑制効果 〇小野 陽子1、渦巻 裕也1、熊倉 一英2、小松 武志1 (1. 日本電信電話株式会社 ＮＴＴ先端集積デバイス研究所、2. 日本電信電話株式会社 ＮＴＴ物性科学基礎研究所)
