【電池の新しい展開】
セッション12（一般講演/学生講演）

[3P03(一般講演)] 「半導体物理に基づく界面エンジニアリング」による正極/集電体界面抵抗の低減

〇Kazunori Nishio¹, Naoto Nakamura¹, Ryota Shimizu^1,2, Tetsuroh Shirasawa³, Koji Shimizu⁴, Satoshi Watanabe⁴, Taro Hitosugi¹ (1. Tokyo Institute of Technology, 2. JST-PRESTO, 3. National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 4. The University of Tolyo)