ポスター発表 II

[II-41] 和周波分光を用いたhBN封止単層MoSe₂励起子準位構造の解明

高橋伸弥[1], 草場哲[1], 渡邊賢司[2], 谷口尚[2], 柳和宏[3], 田中耕一郎[1,4] ([1]京都大学大学院理学研究科, [2]物質・材料研究機構, [3]東京都立大学大学院理学研究科, [4]京都大学物質－細胞統合システム拠点)

Keywords:02．B 半導体，励起子，ポラリトン