Effect of cracked Zn<sub>3</sub>P<sub>2</sub> dopant source on phosphorus incorporation into ZnTe layer grown by molecular beam epitaxy

講演情報

Poster presentation

II-VI, IV-VI, IV Semiconductors

2024年9月10日(火) 13:00 〜 14:30 Large Exhibition Hall (Hall C) (1F)

13:00 〜 14:30

〇Muhamad Mustofa¹, Katsuhiko Saito¹, Qixin Guo¹, Tooru Tanaka¹ (1. Saga University (Japan))

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