セッション情報

Oral Presentation

Growth and Wafer Manufacturing

[Fr-2B] Wafer Manufacturing

2019年10月4日(金) 10:30 〜 11:45 Annex Hall 2 (Kyoto International Conference Center)

+全てマイスケジュールに登録

10:30 〜 11:00

[Fr-2B-01(Invited)] Fabrication of damage-free atomically smooth SiC surface using pure water and Ni catalyst

*Daisetsu Toh¹, Ryousuke Ohnishi¹, Pho Van Bui¹, Satoshi Matsuyama¹, Yasuhisa Sano¹, Kazuto Yamauchi¹ (1. Osaka Univ.(Japan))

11:00 〜 11:15

[Fr-2B-02] An approach to predict 4H-SiC wafer bending after back side thinning by substrate resistivity analysis

*Nicolo Piluso¹ (1. STMicroelectronics(Italy))

11:15 〜 11:30

[Fr-2B-03] Slurryless electrochemical mechanical polishing of 4H-SiC (0001) surfaces

*Xu Yang¹, Xiaozhe Yang¹, Kentaro Kawai¹, Kenta Arima¹, Kazuya Yamamura¹ (1. Osaka University(Japan))

11:30 〜 11:45

[Fr-2B-04] Direct bonding of diamond substrate at low temperatures under atmospheric condition

*Takashi Matsumae¹, Yuichi Kurashima¹, Hitoshi Umezawa¹, Hideki Takagi¹ (1. Ntl. Inst. of Adv. Ind. Sci. and Tech.(Japan))

×

認証

×

要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン