スケジュール 2 コメント (0) 17:40 〜 19:10 [P3-21] Effect of discharge pulse length on GaN thin films by high-density convergent plasma sputtering device Itsuki Misono1, *Taisei Motomura2, Masato Uehara2, Tatsuo Tabaru2, Tetsuya Okuyama1,3 (1. NIT, Kurume College, 2. AIST, 3. Kyushu Univ.) 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証