*Marlou R. Slot1,2, Yulia Maximenko1,3, Sungmin Kim1,3, Daniel T. Walkup1, Evgheni Strelcov1,2, En-Min Shih1,2, Dilek Yildiz1,3, Steven R. Blankenship1, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Yafis Barlas5, Paul M. Haney1, Nikolai B. Zhitenev1, Fereshte Ghahari6, Joseph A. Stroscio1
(1. NIST (United States of America), 2. Georgetown Univ. (United States of America), 3. Univ. of Maryland (United States of America), 4. NIMS (Japan), 5. Univ. of Nevada, Reno (United States of America), 6. George Mason Univ. (United States of America))
キーワード:Twistronics, Van der Waals materials, Scanning Tunneling Microscopy, Landau level spectroscopy
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